7月7日,来自俄罗斯科学院科捷利尼科夫无线电工程与电子学研究所(Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics)的Viacheslav .V .Popov教授应器件部秦华研究员邀请,做了题为“Electrodynamics of Plasma Oscillations in Microstructures and Microdevices with Two-dimensional Electron Channels”的报告,该报告是Popov教授访问纳米所期间所作的系列报告之一。来自器件部的多名师生参加了这次学术交流。
高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)结构中的二维电子气可以在电场作用下激发出等离子体波模式,通过进一步耦合实现与太赫兹波的相互转化,从而实现太赫兹波的调制、探测与发射,具有重要的研究价值。在报告中Popov教授介绍了自己在二维电子气沟道结构中的理论工作,具体包括通过数值计算分别模拟了有限尺寸的二维电子气对入射太赫兹波的调控,平板栅极与周期性光栅栅极下二维电子气对太赫兹波的吸收,场效应晶体管阵列对太赫兹波的调控等,具有一定的指导意义。
报告内容连贯充实,与会师生与Popov教授在报告结束后进行了深入的交流。
又讯,7月13日,Viacheslav. V. Popov教授作了题为“Plasmonic Rectification of Terahertz Radiation in the Two-Dimensional Electron Systems: Beyond the Dyakonov-Shur Model”的学术报告。 该报告是V. V. Popov教授访问纳米所期间所作的系列报告之二。
在报告中,Popov教授首先给出了二维电子体系产生THz光电流的条件,即二阶非线性和非中心对称性。然后,Popov教授根据电子运动的欧拉方程、连续性方程和电流密度公式指出光电流中的传导电流源于等离激元的“拖曳”(drag)效应,对流电流源于等离激元的“棘齿”(ratchet)效应,这两种效应产生了等离激元的太赫兹整流。根据以上理论分析,Popov教授给出实际的各种材料和结构的器件,如GaAs、GaN体系异质结构和石墨烯、非对称双光栅的HEMT器件结构、非对称栅极的FET阵列结构和带有细栅极的狭槽型二极管(形成非栅控非对称等离激元模式)等,同时也给出了器件的太赫兹光响应实验结果。总之,二维电子体系中等离激元非线性和基于结构实现的非对称等离激元强近电场能实现强的太赫兹整流响应,对实现高性能太赫兹探测器具有很高的指导作用。
器件部多名师生参加了这次学术交流,并就太赫兹探测方面的科学技术问题与Popov教授进行了深入讨论分析。
Viacheslav .V .Popov教授作报告
报告会现场