4月28日，日本千叶大学王科博士应邀来中科院苏州纳米所进行学术交流与访问，并作了题为“Molecular Beam Epitaxial Nitride Semiconductors: Epitaxy, Properties, and Solar Cell Applications”的学术报告。

　　王科博士利用MBE生长InN和InGaN薄膜和纳米柱,通过多种原位监测手段（RHEED、激光反射，光谱椭偏仪），发现In的吸附层有利于InGaN和InN的外延生长。他还详细研究了In，Ga和Al附加原子的表面动力学，以及如何降低位错密度和本征电子浓度，发现尽管在高In组分的InGaN表面存在常见的表面电荷积累，但仍可获得整个成份范围内的P型InN和InGaN。王科博士同时还研究了InGaN的相关物理性质。

　　王科自2013年起任日本千叶大学的副教授，他目前的研究活动涉及生长III-V族氮化物半导体材料和器件的制备与表征。2000年南京大学获得学士学位， 2003年香港大学硕士学位，2007年英国斯凯莱德大学的博士学位。2008年加入了日本nanishi实验室并获得日本学术振兴会奖学金。

报告会现场