5月4日上午，应器件部刘建平研究员邀请，阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)李晓航教授来纳米所访问交流，并作了题为“关于宽禁带半导体材料、物理、器件、设备的研究”的学术报告。
III族氮化物宽禁带半导体拥有优越的光电特性。李晓航教授主要分享了深紫外激光、新型B-III-N材料、极化场工具箱三个研究方面的内容。III族氮化物光电子学在紫外波段拥有极大的研究潜力和应用前景，为了实现在低成本、大尺寸而且无紫外吸收的蓝宝石衬底上生长深紫外激光器，李晓航教授对AlN template的生长机制进行了研究，采用TMA的预处理技术控制AlN极性，实现低位错密度、高生长速率，高生长效率的AlN template生长,并制备了低阈值的光泵浦深紫外激光器。生长B-III-N材料拥有更大的禁带范围以及能有与AlN，GaN，SiC和Ga2O3晶格匹配的可能，同时B-III-N材料生长也面临很多挑战，比如晶格失配、寄生反应和相分离等，李晓航教授成功制备了含B 14%的BAlN合金。他通过极化场工具箱计算III族氮化物的极化场，寻找在C面衬底上长的异质结无极化作用的临界点，来达到减少器件中量子限制斯塔
克效应的影响，并给大家展示了BAlN材料在深紫外LED以及电子器件HEMT的应用以及作用。
李晓航教授是KAUST先进半导体实验室的PI兼博士生导师和KAUST的学术委员会委员。他在美国佐治亚理工学院获得电子工程博士学位，主要从事宽禁带半导体材料器件物理和仪器的研究。李教授在半导体深紫外激光等领域做出了先驱性的工作，在杂志和会议上发表了120余篇论文，成果多次被Semiconductor Today、Compound Semiconductor和Phys.org等媒体报道，被引用1300余次（h指数16），在国际会议大学研究所和公司作受邀报告30余次。他曾受邀撰写Compound Semiconductor杂志的社论，也参与过Elsevier和Wiley等知名出版社旗下Semiconductor and Semimetals, semiconductor laser和MOCVD有关书籍章节的编写。他拥有10余项批准和在申的国际专利，是Nature Photonics和Applied Physics Letter等杂志的审稿人。
报告会现场
