8月29日下午，应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请，南京大学电子学院王科教授来纳米所访问交流，并作题为“Recent progress in THz quantum cascade lasers and deep UV LEDs”的学术报告，孙钱研究员主持报告会。 

　　王科教授的报告分为两部分，第一部分对量子级联激光器(QCLs)做了精彩的报告，他首先讲述了量子级联激光器在太赫兹波中的应用及优势，并提出了太赫兹波目前发展的瓶颈问题在于光源的小型化以及太赫兹光源的上限工作温度为200 k，通过对不同材料激光器的对比，发现GaN/AlGaN基量子级联激光器有巨大优势，由于GaN材料的声子能量达91 mev，决定其可在室温下工作，其频率范围在5.4～12 THz，是GaAs基量子级联激光器无法达到的。 

　　第二部分主要介绍了对深紫外LED的研究工作，具体绍了用MBE生长深紫外LED，其研究方向主要针对pGaN中空穴浓度低的问题，对外延结构做了SIMS表征，并对不同生长温度下生长的深紫外LED就H、O、C、Si浓度做了对比，发现这些元素的含量对温度非常敏感。 

　　王科教授的报告科学严谨，内容丰富，报告之后老师和同学们积极提问，王科教授做了耐心、全面的解答，极大的提高了同学们的科研热情，聆听此次报告的师生们表示收获颇丰。 

　　王科教授简介： 

　　从事宽禁带III族氮化物半导体领域的研究工作，包括材料，物性，新型光电器件，尤其是分子束外延技术。近期重点研究深紫外LED和量子级联激光器。2000年毕业于南京大学，2003年获香港大学硕士，2007年获英国Strathclyde大学博士。2008至2013日本立命馆大学JSPS博士后，高级研究员；2013-2016年日本千叶大学副教授；2016年日本国立理化学研究所（RIKEN）研究员；2018年南京大学电子学院教授，RIKEN客座研究员。 

      报告会现场