5月21日上午，应半导体显示材料与芯片重点实验室孙钱研究员邀请，美国耶鲁大学李炳均博士来苏州纳米所进行学术交流，并在A718会议室作了题为“Novel etching techniques and their application in electronic and optoelectronic devices”的学术报告。报告会由孙钱研究员主持，吸引了所内相关专业师生积极参与。

在电子、光电子器件的制备过程中，为实现特定的器件结构和性能，材料刻蚀通常是不可或缺的工艺流程。李炳均博士重点围绕GaN垂直功率器件、高性能的Micro-LED、短波红外VCSEL等三方面应用需求，介绍了相关刻蚀技术研究及其在器件制备中的应用成果。针对GaN垂直功率器件的研制中所需的选择性刻蚀技术，报告了一种新型的高温TBCl刻蚀工艺，实验验证了其低损伤的特性和在垂直功率器件中应用的可行性；针对高性能的Micro-LED研制需求，通过使用电化学刻蚀技术所制备的多孔GaN结构与量子点相结合的方法，极大提高了量子点对光的转换效率，并实现Micro-LED阵列；对人脸识别、LiDAR、数据通信对短波红外VCSEL器件的需求，将电化学刻蚀工艺拓展到InP材料中，研究了一种低成本制备InP基高反射率DBR的新方法，并实现高性能纳米孔InP VCSEL。

报告结束后，大家进行深入的讨论与交流，李炳均博士详细解答了大家提出的问题。通过此次交流，大家对高温气相刻蚀与电化学刻蚀技术在电子、光电子器件的应用有了更深入的理解和认识。

李炳均博士毕业于美国耶鲁大学电子工程专业（2022年），本科毕业于南京大学微电子科学与工程专业（2017年）；2022年10月至2024年4月在美国耶鲁大学从事博士后研究。主要研究方向包括：(1)半导体光电子材料及器件；(2)宽禁带半导体功率电子器件；(3)宽禁带半导体材料生长与测试表征。在Nano Energy，Optica,ACS Applied Materials & Interfaces 及 Applied Physics Letters 等期刊及会议上发表论文19篇，申请PCT/US专利4项；部分研究成果正在向工业界应用转化。

报告会现场