4月1日，由国家市场监督管理总局批准发布的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》（GB/T 44558-2024）正式实施。该标准由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所联合苏州纳维科技、江苏省第三代半导体研究院、北京大学等12家单位共同制定，为 III 族氮化物半导体材料的质量评价提供了统一依据，对推动我国相关产业规范化发展具有重要意义。  

III族氮化物半导体（如GaN、AlN、InGaN等）是第三代半导体的核心材料，广泛应用于激光显示、5G通信、高效照明等领域。位错作为材料中的关键缺陷，直接影响器件的性能和寿命，因此精准的位错成像表征对产业发展至关重要。新标准首次系统规范了利用透射电子显微镜（TEM）对III族氮化物半导体材料中位错成像的测试全流程，涵盖试验条件与设备、样品制备、试验步骤与数据处理等核心技术环节，为材料缺陷分析提供了科学、可复现的权威方法。  

标准制定历时24个月，依托苏州纳米所测试分析平台的先进设备和研发经验，联合产业链上下游企业完成技术攻关与验证。通过多实验室比对，验证了方法的重现性与可靠性，显著提升了测试结果的可比性。

苏州纳米所测试分析平台秉承建设高水平公共服务平台高水平服务产业发展的理念，在第三代半导体光电子材料领域拥有19年的技术积累，拥有国际先进国内领先的第三代半导体材料与器件加工测试先进大型装备，在相关领域高水平科技论文发表和发明专利申请方面处于国际领先地位，牵头制定6项第三代半导体光电子材料的国家标准，2014年获得CNAS和CMA资质认定证书。先后获批苏州市纳米测试分析中心、江苏省纳米测试分析中心、江苏省纳米测试分析创新服务中心，2018年经专家评估成为科技部高技术中心认定的战略性先进电子材料专项测试中心，在第三代半导体光电子材料检验检测领域处于国内领先地位。