ScAlN化合物材料生长与微结构调控团队负责人樊士钊，获中国科学院“率先行动”引才计划支持。2016年博士毕业于麦吉尔大学(McGill University)，之后于美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(UIUC)从事博士后研究工作，长期致力于III-V族化合物半导体材料外延生长与器件结构研究。近年来以第一作者/通讯作者在Advanced Energy Materials、Nano Letters、Solar Energy Materials and Solar Cells、Journal of Applied Physics等期刊上发表论文十余篇。2020年全职加入中国科学院苏州纳米所，已建立独立科研团队。 

团队从事III族氮化物分子束外延生长与光电/功率射频/声电/铁电器件研究，目前主要从事三个研究方向： 

1. 高Sc组分ScAlN单晶薄膜材料的外延生长与压电/声电/铁电器件研究；

2. N-极性面AlGaN/GaN、ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究；

3. “自底向上”选区外延InGaN纳米柱周期阵列的外延生长与光子晶体Micro-LED研究。

团队独立搭建了一套4英寸III族氮化物分子束外延系统(MBE)，围绕该MBE系统建设了万级无尘MBE实验室并已投入运行，另有100m2化学实验室用于器件工艺、材料分析。团队氛围融洽，设施齐全，经费充足，适合有志于从事化合物半导体外延生长研究的博士后或科研助理开展研究工作，也适合对晶圆级分子束外延(MBE)系统感兴趣、职业规划与MBE领域相关的人员接受系统性的MBE技术培训、向高级MBE工程师进阶。拟招聘博士后研究人员2-3名、研究实习员/科研助理2名：

岗位职责：博士后——从事III族氮化物MBE生长动力学研究以及器件制备、性能分析；研究实习员/科研助理——MBE系统维护与实验室管理、科研辅助。

博士后岗位要求：  

1. 已获得或即将获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科博士学位（博士后）/学士学位（科研助理），有III-V族化合物半导体材料与器件研制背景者优先考虑；

2. 在相关知名国际刊物以第一作者发表过学术论文，有良好的英文读写能力和独立科研能力； 

3. 身心健康，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强；  

4. 办事认真踏实，有责任感，有团队沟通能力

科研助理岗位要求：

1. 已获得或即将获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科学士、硕士学位或具有相关领域知识背景，年龄一般不超过25岁；

2. 较好的文案写作能力和较强的计算机软件学习能力，能阅读英文文献和实验方案； 

3. 吃苦耐劳、身体素质好，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强；  

4. 办事认真踏实，有责任感，乐于助人、善于条理安排事务，具备一定的管理能力。

博士后薪酬待遇：

1. 工资福利待遇按中科院苏州纳米所和国家规定执行，提供月工资+奖励绩效。具有博士学历的聘用人员可列入中国科学院特别研究助理（博士后），年薪为28万元/年，外加课题绩效和年终奖金，具体面议。特别优秀者可获得30万人才津贴（江苏省卓越博士），获批中国科学院特别研究助理项目、所“优秀博士后”可获得12万人才津贴。业绩突出者，博士后出站后可以优先留所工作。园区工作站博士后，出站后在苏州买房可获30万元安家补贴；

2. 团队将提供良好的科研环境，支持申请各类项目，积极为团队成员提供国内外学术会议交流机会、海外深造机会，以及将来在学术界和工业界的职业发展机会。

科研助理薪酬待遇： 

1. 薪资福利待遇按中国科学院苏州纳米所和国家规定执行，提供月工资+绩效+年终奖励+五险一金，享受餐补、带薪休假、职工体检、工会福利等福利。根据能力和所承担的工作，本科及以上学历者，可申请苏州工业园区优租房；

2. 硕士学位工程师到手月工资最高8200元，学士学位工程师到手月工资最高5500元；根据工作表现，工程师年底绩效奖金最高可达15000元；

3. 工作稳定，后续提供团队内部在职深造机会，鼓励年轻职工留所工作、继续晋升副高级工程师；

4. 团队将提供良好的科研工作环境，支持科研助理参与科研活动，积极为团队成员提供国内外学术会议交流机会、海外深造机会，以及将来在学术界和工业界的职业发展机会。

应聘方式： 

申请者请将以下资料通过邮箱发送到szfan2020@sinano.ac.cn，邮件标题格式：“目前所在单位+姓名+应聘岗位”：

1. 个人简历（包含学习和工作经历、发表论文、参与项目等）；

2. 代表性论文（不超过3篇）以及其他可以证明本人研究能力及水平的资料。 

我们将以邮件或电话的方式通知初选通过的应聘者前来参加单位组织的面试。报名截止时间：招满为止。