姓 名: |
王怀兵 |
职 称: |
研究员 |
学 历: |
博士研究生 |
电 话: |
|
通讯地址: |
苏州工业园区若水路398号 |
电子邮件: |
hbwang2006@sinano.ac.cn |
简历:
1986年7月毕业于浙江大学化学工程专业;1991年6月获得浙江大学化学工程专业硕士学位;2001年3月毕业于中国科技大学材料科学与工程系,并获得博士学位。2001年4月,加入深圳方大集团股份有限公司(股票代码:000055),参与创建半导体事业部(项目投资额1.5亿元),开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(LED)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项目。2006年8月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,现为研究员。
研究领域:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:
承担科研项目情况: