姓 名: | 董建荣 |
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职 称: | 研究员 |
学 历: | 博士研究生 |
电 话: | 0512-62872649 |
通讯地址: | 苏州工业园区若水路398号 |
电子邮件: | jrdong2007@sinano.ac.cn |
简历:
1989和1992年在西安电子科技大学获得半导体物理与器件专业学士和硕士学位,1996年在中科院半导体所获得半导体物理与器件专业博士学位。1996年3月-1997年8月在中科院半导体所任助理研究员,1997-2008年在新加坡科研局材料研究院(IMRE)分别任研究助理和Research Scientist,2007年6月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员,博士生导师。多年来一直从事GaAs和InP基化合物半导体材料MOCVD生长、材料表征及光电器件的研究工作,包括半导体量子阱激光器、红外探测器和化合物半导体多结光伏电池。承担了科技部国际合作项目、973课题、自然科学基金项目和中科院院地合作项目等多个项目。在国际期刊上发表论文六十多篇,拥有发明专利三十多项。
研究领域:
1. AlGaAs量子阱大功率激光器
2. 多结光伏电池
3. 垂直腔面发射激光器
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:
承担科研项目情况: