一直围绕高质量氮化物半导体材料生长开展工作，开展了与GaN晶格匹配的铝酸锂、镓酸锂单晶体生长研究，并在铝酸锂(100)衬底上用MOCVD方法外延生长出非极性m面GaN（1997年）；系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理，包括起始形核、氮化物的极性选择、极性控制；率先发现了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响，是国际上早期发现InN窄带隙的研究者之一；加入纳米所以来重点围绕氮化镓和氮化铝的单晶生长开展产业化研发工作；研制出GaN单晶衬底的HVPE生长系统，开发出2英寸单晶氮化镓衬底的生产工艺流程，相关成果转化创办了苏州纳维科技有限公司，产品全球用户超过300家，为多种氮化镓基高端器件的研发起到了重要支撑；围绕高质量氮化物材料，开展了相关物性和器件物理的研究，探索氮化物半导体的新应用；关于氮化镓单晶生长的研究工作入选国家自然科学基金委信息学部十二五优秀成果；组织团队发展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术，研制了多台套相关装备，在半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究中得到应用。发表SCI论文100余篇，申请专利50余项，国际会议特邀报告20余次，14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)大会共同主席。承担了国家自然科学基金的面上项目、重点项目、重大仪器研发项目，科技部973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目，中科院装备研制项目，江苏省重大科技成果转化专项、重点研发项目等，以及发改委战略新兴产业化示范项目等。
