孙钱，现任中国科学院苏州纳米所研究员、博导，所党委委员，美国耶鲁大学博士，国家杰出青年科学基金获得者，国家优秀青年科学基金获得者，国家技术发明奖一等奖获得者。  

2002年提前一年从中国科技大学毕业，获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位，并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中国科学院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，于2009年获得博士学位，并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.，任Epi R&D Scientist，负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2011年入选国家重点人才工程A类（首批青年项目），2012年入选江苏省“双创人才”计划和苏州工业园区“金鸡湖双百人才”，2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者，2016年入选江苏省“双创团队”，2017年入选江苏省侨界十大杰出人物，2018年入选苏州市十佳创新先锋，2022年入选江苏省“333高层次人才培养工程”第二层次。  

近5年主持承担了国家重点研发计划项目、国家自然科学基金面上项目、中国科学院战略先导B类专项课题、中国科学院前沿科学重点研究项目等，累计合同经费逾6500万元。在Nature Photonics、Light: Science & Applications、ACS Photonics、 IEEE Electron Device Letters等期刊上发表了130余篇被SCI收录的学术论文。参与编写了中英文专著各一章，是50余项美国和中国发明专利的发明人。其中，高效深紫外发光二极管技术专利包和氮化镓功率电子器件专利包分别以1200万元和2000万元转让给合作企业，实现科技成果转化。应邀在氮化物半导体国际学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国科学院元器件专家组成员、中国物理学会发光分会委员会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会委员、中国电子学会电子材料分会青年副主任委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。   

回国十余年以来一直致力于第三代半导体GaN材料生长、红绿蓝高效micro-LED与紫外大功率LED等光电子器件、以及GaN基功率电子和微波射频电子器件的研发与产业化。  

（1）在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间，在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司，获技术转让费8000万美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作，兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁，带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术，并成功实现规模量产，2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾4亿元人民币（毛利率逾40%），荣获2016年国家技术发明奖一等奖（排名第4）。  

（2）成功研制出国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器（氮化物半导体的另一种重要光电器件），并实现了室温连续电注入激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推进我国激光显示与激光照明等战略性新兴产业发展，同时还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。该系列研究工作已发表在Nature Photonics、Light: Science & Applications、ACS Photonics等期刊。  

（3）在硅基GaN电子材料与器件方面，自主研发了硅基GaN纵向功率二极管、硅基GaN增强型HEMT电力电子器件、以及硅基GaN微波射频电子器件，器件性能目前处于国际前列，并且有望大幅降低器件制造成本，加快推进我国第三代半导体氮化镓电力电子和微波射频电子器件的产业化进程。该系列研究工作已发表在ISPSD、IEDM、IEEE Electron Device Letters等学术会议或期刊。 

本课题组前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或去武汉光迅、武汉新芯、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。  

欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到qsun2011@sinano.ac.cn，抄送xchen2018@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。

招生（及招聘）方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。