姓 名: | 于国浩 |
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职 称: | 项研级高级工程师 |
学 历: | |
电 话: | 0521-62872879 |
通讯地址: | 苏州工业园区若水路398号 |
电子邮件: |
简历:
2013年毕业于中科院苏州纳米所,获得微电子与固体电子学博士学位,研究方向为GaN电力电子器件的动态特性,研究结果发表在“Electron Device Letters”、“Electronics letters”等期刊上;2013-2015年,在中科院苏州纳米所从事博士后研究工作,研究GaN电力电子器件,成功研发出耐压600V、电流20A的GaN电力电子器件。2015年,受聘中科院苏州纳米所高级工程师,主要从事GaN电力电子器件和GaN功率转换模块的研发,目标将GaN电力电子器件推向实用化;同时参与研究所纳米加工平台微纳加工工作。已在SCI 和EI 等国际期刊上发表学术论文20余篇;申请中国发明专利30余项,其中已授权8项;申请美国专利1项,已授权。
研究领域:
GaN电力电子器件;宽禁带半导体微纳加工技术。
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:
承担科研项目情况: