| 姓 名： | 樊士钊 |
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| 职 称： | 项目研究员 |
| 学 历： | 博士研究生 |
| 电 话： | 0512-62872535 |
| 通讯地址： | 苏州工业园区若水路398号 |
| 电子邮件： | szfan2020@sinano.ac.cn |
简历：
ScAlN化合物材料生长与微结构调控课题组负责人，长期从事III-V族化合物半导体材料外延生长与器件结构及性能研究，2020年获中国科学院“率先行动”引才计划支持，独立搭建了一套晶圆级III 族氮化物分子束外延系统(MBE)，已研制出输运性能达到国际先进水平的Sc0.18Al0.82N/GaN异质结外延材料、晶体质量国际领先的Sc0.37Al0.63N铁电单晶薄膜材料，目前主持国家基金委面上项目，担任Nanomaterials期刊客座编委。
研究领域：
III-V族化合物半导体外延生长与光电器件、射频功率电子器件研究
· ScAlN/GaN异质结构外延生长与高频、高功率HEMT器件研究
· 高Sc组分ScAlN单晶薄膜外延生长与体声波射频滤波器、铁电存储器研究
· “自底向上”选区外延 InGaN纳米柱周期阵列的外延生长与光子晶体 Micro-LED研究
社会任职：
获奖及荣誉：
代表论著：
1. Yuhao Yin, Haiyang Zhao, Rong Liu, Shizhao Fan,* Jiandong Sun, Hua Qian, Helun Song,* Jiadong Li, Shitao Dong, Qian Sun,* and Hui Yang, Boosting the two-dimensional electron gas density of Al0.20Ga0.80N/GaN heterostructures by regrowth of an epitaxial Sc0.18Al0.82N layer, under review.
2. Shizhao Fan,* Yuhao Yin, Rong Liu, Haiyang Zhao, Zhenghui Liu, Qian Sun, and Hui Yang, Polarity control and crystalline quality improvement of AlN thin films grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys. 2024, in production.
3. Yuhao Yin, Rong Liu, Haiyang Zhao, Shizhao Fan,* Jianming Zhang, Shun Li, Qian Sun,* and Hui Yang, High quality single crystalline Sc0.37Al0.63N thin films enabled by precise tuning of III/N atomic flux ratio during molecular beam epitaxy, Nanomaterials, 2024, 14, 1459.
4. Shizhao Fan,* Rong Liu, Yingnan Huang, Jianxun Liu, Xiaoning Zhan, Xiujian Sun, Meixin Feng, Yuhao Yin, Qian Sun, and Hui Yang, Observation of threading dislocations and misfit dislocation half loops in GaN/AlGaN heterostructure grown on Si using electron channeling contrast imaging, J. Appl. Phys. 2022, 132, 105302.
5. Shumeng Yan, Meixin Feng,* Shizhao Fan,* Rui Zhou, Yongjun Tang, Tianhao Jiang, Jianxun Liu, Yu Zhou, Qian Sun,* Hui Yang, Activation of buried p-GaN through nanopipes in large-size GaN-based tunnel junction LEDs, Nanotechnology, 2021, 32, 30LT01.
承担科研项目情况：
