刘建勋，中国共产党员，项目研究员，江苏省优秀青年科学基金获得者，中国科学院青年创新促进会会员。兼任江苏省青科协第四届集成电路专业委员会委员，发光学报青年编委，苏州纳米所团委兼职副书记。

2012年本科毕业于大连理工大学物理系，同年推免读研，2017年获大连理工大学工学博士学位，入选辽宁省优秀毕业生。2018年加入中国科学院苏州纳米所杨辉、孙钱研究员团队，2019年获中国科学院基础前沿科学0-1原始创新项目择优资助，现任项目研究员、硕士生导师。先后入选江苏省优秀青年科学基金、江苏省科技副总、中国科学院青年创新促进会会员、苏州工业园区技能工匠等。主持承担国家自然科学基金面上与青年项目、国家部委课题、联合基金、中国科学院重点部署项目等。

刘建勋是国家杰青孙钱研究员团队的核心科研骨干。专注于第三代半导体氮化镓材料的MOCVD外延生长与应用基础研究工作。面向Micro-LED新型显示、5G通信等国家重大战略需求，在InGaN基红绿蓝Micro-LED、AlGaN基深紫外LED、硅基氮化镓微波射频与功率器件（HEMT、SBD、HBT）等高质量材料生长与应用研究中做出了原创性工作。国际首次将无龟裂晶圆级硅衬底GaN材料位错缺陷密度降低至10⁷cm^-2，作为主要发明人之一的17项专利技术转化落地。在ACS Photonics、APL、IEEE TED等国际期刊上发表学术论文60余篇，参与撰写氮化物半导体学术专著一个章节。研究成果4次受国际半导体行业著名杂志Semiconductor Today亮点报道。

招生（及招聘）方向：

欢迎半导体材料与器件、物理、材料、光电子、微电子等学术背景的同学申请。课题组前期培养的硕士和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去武汉光迅、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。

欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学，将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到jxliu2018@sinano.ac.cn，抄送xchen2018@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。