2012年获曲阜师范大学数学系学士学位，同年考入中国科学院大学，2017年获凝聚态物理专业博士学位。2017 -2021年分别在新加坡国立大学、德国慕尼黑大学进行博士后研究工作，2021年在中国科学院物理研究所任副研究员，2025年全职加入中国科学院苏州纳米所半导体显示材料与芯片重点实验室，任项目研究员、硕士生导师。

长期致力于半导体光电器件与超表面光场调控研究，迄今为止在国际学术期刊发表论文40余篇，其中以第一/通讯作者在Nat. Nanotechnol.、Nano Lett.、Adv. Funct. Mater.、ACS Nano等期刊发表论文12篇，撰写专著章节2篇，SCI期刊他引3500余次，H指数25，授权国家发明专利1项，在国际/国内学术会议报告研究成果20余次。主持或参与国家重点研发计划“纳米前沿”专项、国家自然科学基金青年项目、中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目等。

现为半导体显示材料与芯片重点实验室（主任孙钱研究员，国家杰青，国家技术发明奖一等奖获得者）科研骨干，针对3D全息显示、AR/VR近眼显示、可穿戴显示等新型显示技术需求，以III族GaN基Mini/Micro-LED和边发射/面发射激光器作为典型器件对象，基于微纳结构的多维度光场调控方法，开展超表面多维光场调控与集成GaN光电器件研究，探索其在新型显示领域的应用。

欢迎半导体物理与器件、光学、光电子等相关学术背景的研究生和博士后加入本团队。实验室前期培养的硕士、博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去武汉光迅、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。有意向者请将个人简历和成绩单及排名等材料电子版发到xhuang2025@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。

1. Zhao,S.,Huang,X.*^#, Gillen,R.,Li,Z.,Liu,S.,Watanabe,K.,Taniguchi,T.,Maultzsch,J.,Hone,J.,Högele,A^#.,Hybrid Moiré Excitons and Trions in Twisted MoTe₂–MoSe₂ Heterobilayers. Nano Lett. 2024,24,(16):4917-4923.

2. Bai Q.,Huang,X.*^#,Du S.,Guo Y.,Li C.,Li W.,Li J.,Gu C.^#,Multiple-Polarization-Sensitive Photodetector Based on a Plasmonic Metasurface. Nanoscale 2024,16,(18): 8907-8914.

3. Zhao,S.,Li,Z.,Huang,X.*,Rupp,A.,Göser,J.,Vovk,I. A.,Kruchinin,S. Y.,Watanabe,K.,Taniguchi,T.,Bilgin,I.,Baimuratov,A. S.,Högele,A.^#,Excitons in Mesoscopically Reconstructed Moiré Heterostructures. Nat. Nanotechnol. 2023,18 (6):572-579.

4. Bai,Q.,Huang,X.*^#,Guo,Y.,Du,S.,Sun,C.,Hu,L.,Zheng,R.,Yang,Y.,Jin,A.,Li,J.,Gu,C.^#,Gap-Surface-Plasmon Induced Polarization Photoresponse for MoS₂–Based Photodetector. Nano Res. 2023,16(7):10272-10278.

5. Huang,X.,Guo,Y.,Du,S.,Bai,Q.,Sun,C.,Hu,L.,Zheng,R.,Fu,P.,Yang,Y.,Jin,A.,Watanabe,K.,Taniguchi,T.,Li,J.,Liu,B.^#,Gu,C.^#,Strong Linearly Polarized Emission from Monolayer WS₂ Coupled with Plasmonic Nanocavity Array. Adv. Opt. Mater. 2022,10 (19),2200535.