SN201208221 等离子增强化学气相沉积机

 
PECVD  
编号: Oxford 80+
工艺类别: 镀膜
所属单位: 苏州纳米所
管理员: 周韦娟
状态: 正常
价格: 250/30分钟
单位预约时间: 30(单位:分钟)
用途
该设备是专门为大学及研究机构设计的小型化产品,被广泛的应用于各种产品的研发以及小批量生产。它配置了直接开启式工艺平台,可以根据客户需要分别进行RIE(反应离子刻蚀)或PECVD(等离子增强型化学气相沉积)模式,应用灵活。
主要技术指标
PECVD: 装片:最大240mm衬底,最佳为100mm衬底 真空度范围:<100-2000mTorr RF功率:10-300W 衬底温度:100-380℃。 目前可淀积材料包括:SiO2,SiNx。 RIE: 装片:最大240mm衬底,最佳为100mm衬底 真空度范围:<100-2000mTorr RF功率:10-300W 目前可刻蚀材料包括:SiO2,SiNx。

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