中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer

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作者：	Wu YX; Zhu JJ; Chen GF; Zhang SM; Jiang DS; Liu ZS; Zhao DG; Wang H; Wang YT; Yang H(杨辉)
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刊物名称：	Chinese Physics B
年：	2010
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