Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
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| 作者： | Wang LJ; Zhang SM; Zhu JH; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Jiang DS; Wang YT; Yang H (杨辉) |
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| 刊物名称： | Chinese Physics B |
| 年： | 2010-01 |
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