Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers

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作者: Jahn U; Brandt O; Luna E; Sun X; Wang H (王辉); Jiang DS; Bian LF (边历峰); Yang H (杨辉)
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刊物名称: Physical Review B
年: 2010-03
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