Analysis on the new mechanisms of low resistance stacked Ti/Al Ohmic contact structure on AlGaN/GaN HEMTs

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作者: Gong RM; Wang JY; Dong ZH; Liu SH; Yu M; Wen CP; Hao YL; Shen B; Cai Y (蔡勇); Zhang BS (张宝顺); Zhang JC
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刊物名称: Journal of Physics D-Applied Physics
年: 2010-04
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