中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Study on the Electron Overflow in 264 nm AlGaN Light-Emitting Diodes

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论文题目英文：
作者：	Zhang JC (张纪才); Sakai Y; Egawa T
论文出处：
刊物名称：	IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
年：	2010-12
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