Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
| 作者： | L. C. Le; D. G. Zhao; D. S. Jiang（江徳生）; L. L. Wu; L. Li; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu（朱建军）; H. Wang（王辉）; S. M. Zhang（张书明）; H. Yang(杨辉) |
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| 刊物名称： | Journal of Applied Physics |
| 年： | 2012-9-1 |
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