Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Sidoped GaInP epilayers grown on Germanium

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作者: W. He(何巍); S. L. Lu*(陆书龙); D. S. Jiang; J. R. Dong(董建荣); A. Tackeuchi; H. Yang(杨辉)
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刊物名称: Journal of Applied Physics
年: 2012-7
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