中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制

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作者：	王玮; 蔡勇; 张宝顺; 黄伟; 李海鸥
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刊物名称：	固体电子研究与进展
年：	2012-6
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