Enhancement-Mode InAlN/GaN MISHEMT with Low Gate Leakage Current
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| 作者： | Gu GD(顾国栋); Cai Y(蔡勇); Feng ZH(冯志红); Liu B(刘波); Ceng CH(曾春红); Yu GH(于国浩); Dong ZH(董志华); Zhang BS(张宝顺) |
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| 刊物名称： | Journal of Semiconductors |
| 年： | 2012-6 |
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