专家人才
姓  名: 黄勇
职  称: 研究员
学  历: 博士研究生
电  话:
通讯地址: 苏州工业园区若水路398号
电子邮件: yhuang2014@sinano.ac.cn

简历:

  2002年获得清华大学材料系学士学位,2005获得中科院半导体研究所硕士学位,2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。20112014年就职于美国IQE公司,任资深工艺工程师。2015年加入纳米所主要的学术成果包括成功实现了基于InAlGaAs/InP的长波长晶体管激光器的连续激射,实现了用MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器。迄今在Appl. Phys. Lett.等国际学术期刊发表SCI论文39篇,其中第一作者18篇,总引用500余次,国际大会学术报告24次。 

研究领域:

  主要研究领域是III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试等。 

  1. 锑化物二类超晶格红外探测器; 

  2. III-V半导体MOCVD外延; 

  3. 大功率激光器; 

 
 
 

社会任职:

 

获奖及荣誉:

 

代表论著:

 

承担科研项目情况: