面向国家第三代半导体与宽禁带半导体芯片产业发展重大需求，依托中国科学院上海分院国家专业技术人员继续教育基地，我单位将于2026年10月30日—11月1日在苏州组织“第三代半导体结构和光电测试技术”高级技术培训。本次培训以测试表征技术体系构建为主线，涵盖晶体结构表征、光电性能测试、标准化分析方法及先进设备实操等核心模块，旨在打通产学研壁垒，培养兼具理论深度与实战能力的复合型测试技术人才。现将有关事项通知如下：

一、培训对象

全国从事第三代半导体（SiC、GaN、氧化镓等）材料外延、芯片器件、光电传感、失效分析、品质检测相关工作的专业技术人员：

1. 半导体、新能源、光电企业研发、测试、工艺工程师；

2. 高校微电子、材料、物理、光电工程专业教师、硕士生、博士生；

3. 地方检测机构、各类科研院所表征平台实验技术支撑人员、硕士生、博士生；

本次培训计划限额招收80人，额满即止。

二、培训内容

（一）培训形式

采用专家主题授课+设备工程师现场培训+案例研讨答疑+平台实地参观相结合模式，兼顾理论体系与动手实操。

（二）核心培训内容

1. 第三代半导体晶体结构、能带与光电特性基础理论；

2. 透射电镜（TEM）电子衍射、衍射衬度成像，半导体缺陷微观表征技术；

3. X射线衍射、扫描探针显微术；

4. 光致发光PL、拉曼Raman、阴极发光CL光谱测试原理、样品制备与缺陷光谱解析；

5. 半导体IV/CV电学测试系统、器件关键光电参数标准化测试方案设计；

6. 宽禁带半导体器件失效分析、缺陷检测、可靠性测试典型案例解析；

7. 第三代半导体前沿表征仪器实操、数据图谱标准化分析与论文/报告数据提取。

三、培训安排

1. 培训时间

2026年10月30日上午8:30报到，报到地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所D111报告厅。11月1日下午17:30结业撤离。

（1）10月30日（第一天）：开班仪式、平台参观、主题报告、仪器操作培训；