8月19日上午，应半导体显示材料与芯片重点实验室邀请，德国Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik（PDI）康静轩博士受邀作题为“Strain-Relaxed (In,Ga)N Pseudosubstrates Epitaxy & Machine-Learning-Assisted Molecular Beam Epitaxy Automation”的学术报告。报告由项目研究员陆义主持，重点实验室相关科研人员和学生参加了本次学术交流活动。

报告中，康静轩博士围绕高效率红光Micro-LED的发展及单一(In,Ga)N材料体系实现RGB全彩显示面临的挑战进行了介绍。针对GaN与高铟组分(In,Ga)N之间较大的晶格失配问题，他重点介绍了(In,Ga)N赝衬底的设计与制备进展，为提高红光Micro-LED的发光效率提供了新的思路。

康静轩博士还介绍了机器学习在分子束外延自动化控制中的应用。通过结合激光反射、高能电子衍射等原位监测信号，机器学习可实现对材料生长状态的识别与调控，为推动分子束外延智能化发展提供了新的技术途径。

报告结束后，康静轩博士与现场师生围绕(In,Ga)N材料外延、赝衬底制备及人工智能辅助外延生长等问题进行了深入交流，并耐心解答了大家提出的学术问题。本次报告进一步拓宽了科研人员和学生在氮化物材料外延及智能制造领域的学术视野，促进了相关领域的学术交流。

报告会现场