6月29日下午，应院纳米器件与应用重点实验室孙钱研究员邀请，韩国高丽大学In-Hwan Lee教授赴苏州纳米所进行学术交流，并在A718会议室作了题为“Efficient Alignment of GaN Nanorod LEDs via Insulator-based Dielectrophoresis”的学术报告。报告会由孙钱研究员主持，吸引了研究所相关专业师生积极参与。 

　　In-Hwan Lee教授目前研究重点是纳米光电器件，包括LED、显示器、光伏器件、传感器和光催化剂（用于水分离和二氧化碳还原）。在此次报告会中，In-Hwan Lee教授主要介绍了“Nanorod LED, InGaP/InAlGaP red LEDs with plasmonic nanohole structures and Ion beam assisted (IBA) sputtering deposition of GaN/glass”等相关研究。除此之外，他还介绍了一种有效的方法，用于提高纳米棒在转移到电介质电泳过程中的对准精度，该技术在显示领域具有巨大的潜在应用。 

　　报告结束后，In-Hwan Lee教授与在场的师生们展开了热烈的互动交流。大家就该技术的应用前景、实验细节以及可能改进的方向等问题进行了深入讨论，并进一步探讨了纳米光电子学领域的相关问题。通过这次学术交流，大家对于GaN基纳米棒LED有了更深入的理解。这次学术交流不仅激发了师生们对纳米光电子学领域更多问题的思考和探索，还为未来的合作与研究提供了宝贵的启示。 

        交流会现场