11月23日上午，应中国科学院纳米器件与应用重点实验室邀请，中国科学技术大学苏州高等研究院/物理学院陈东学研究员来所交流，在A718会议室作题为《二维半导体材料与光电性质》的学术报告。报告会由孙钱研究员主持，吸引了研究所相关专业师生的积极参与。    

　　在本次学术报告会中，陈东学研究员首先介绍了超短沟道长度的二维半导体场效应晶体管的制备；随后介绍了双层或多层二维材料层间旋转角度的精确调控以形成二维莫尔超晶格异质结，并对异质结中层间激子和强关联电子的作用规律和机理进行了简要说明；最后展望了未来的工作方向和相关合作需求。  

　　报告结束后，在场师生积极提问，与陈东学研究员就超短沟道长度的可控性、二维材料的带隙宽度以及光谱背景的去除进行了充分讨论。通过此次报告与交流，大家对二维半导体材料与光电性质有了更为深刻的理解，为未来的合作与研究提供了宝贵的启示。  

　　陈东学研究员主要从事二维半导体器件制备与光电性质分析工作。近五年来，以第一/共一作者在Nature Physics（1篇），Nature Communications（4篇）、Nano Letters（1篇）和Nanoscale（2篇）等国际知名期刊发表8篇论文。并合作发表论文25篇，获得中国专利2个，相关工作获得国际同行的广泛认可。   

报告会现场