1月29日，应半导体显示材料与芯片重点实验室邀请，中国科学技术大学樊逢佳教授来所开展学术交流，并作了题为“电激发瞬态吸收光谱与LED机制研究”的前沿学术报告。报告会由孙钱研究员主持，吸引了所内众多师生积极参与。

发光二极管（LED）等发光器件的核心工作原理是电子-空穴在电场驱动下发生辐射复合，因此探明LED中的电子-空穴的行为以及电场分布情况，对于分析和理解LED的工作与失效机制至关重要，对于推动下一代先进显示器件，如Micro-LED、量子点LED、OLED以及激光器的发展有重要意义。

此次报告中，樊逢佳教授分享了利用电激发瞬态吸收光谱研究LED中的关键科学问题。整场报告内容丰富、前瞻性强，樊逢佳教授围绕电激发瞬态吸收光谱的测试原理，以及该技术应用于GaN基Micro-LED与激光器领域的必要性和紧迫性，与在场师生展开了热烈而深入的交流讨论。

交流会现场