5月21日，应半导体显示材料与芯片重点实验室邀请，中国科学院微电子研究所黄森研究员来苏州纳米所开展学术交流，并作题为《基于深能级瞬态谱方法的GaN基功率电子器件可靠性机理探究》的专题学术报告。

氮化镓（GaN）作为核心第三代宽禁带半导体材料，凭借优异的材料物理性能，在功率电子、射频通信等领域具备极大的应用价值与发展潜力。经过行业多年技术攻关，GaN材料及相关器件已在电力电子领域实现初步商业化落地。国家“十五五”规划亦明确提出加快宽禁带半导体产业提质升级，为产业技术迭代与规模化发展指明了方向。

长期以来，针对GaN材料缺陷尤其是点缺陷，行业缺乏有效的表征与研究手段，难以构建缺陷特性与器件性能衰减之间的物理关联模型，极大限制了相关技术的突破。深能级瞬态谱（DLTS）作为半导体缺陷检测与机理研究的核心测试技术，是破解上述难题的重要研究工具。

报告会上，黄森研究员围绕DLTS技术展开系统性分享，详细阐释了DLTS的核心测试原理、实操测试方法与技术迭代发展历程，全面梳理了不同类型DLTS测试技术的适用场景与技术优势。同时，他结合国内外学术研究进展，系统介绍了行业内优秀的研究成果，重点分享了其科研团队及合作团队近年来的最新研究成果。

材料点缺陷也是光电子材料与器件领域的重点和难点课题之一，DLTS测试技术作为解析半导体点缺陷特性的关键手段，对实验室开展相关研究具有重要的借鉴意义与应用价值，值得科研人员深入钻研、落地应用。

黄森研究员的讲解深入浅出，案例丰富，与会人员积极提问，深入探讨，现场学术交流氛围浓厚。本次活动有效拓宽了实验室科研团队的研究思路，为后续相关课题的技术创新与科研攻关奠定了良好基础。

报告现场