10月23日，应器件部刘建平研究员邀请，波兰科学院高压物理研究所Mike Leszczynski教授和Ewa Grzanka教授来苏州纳米所进行学术交流，分别作了题为“Hydrogen as a carrier gas in growth of InGaN quantum wells”和“Indium concentration fluctuations in InGaN/GaN quantum wells and their relationship with QWs decomposition”的学术报告，学术交流会由刘建平研究员主持。 

　　波兰科学院高压物理研究所在GaN基材料与器件领域是国际知名的研究团队，拥有90名科学家和工程人员团队，包括GaN单晶衬底和激光器的产业化公司。苏州纳米所器件部GaN基激光器课题组与波兰科学院高压物理研究所、厦门大学一起承担了科技部重点研发计划—政府间国际创新合作重点专项，研究缺陷对GaN器件性能的影响。此次学术交流活动，是该项目启动后波兰方的第一次来华学术交流。 

　　学术报告后，两位教授与纳米所师生就InGaN量子阱的生长和缺陷形成机理等问题进行了深入的交流，并确定了近期的合作研究内容，为项目的顺利开展奠定了良好基础。 

      报告会现场

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