8月10日上午，应中科院苏州纳米所纳米真空互联实验站（Nano-X）和创新实验室（i-Lab）邀请，北京大学张志勇教授到访苏州纳米所进行学术交流并作学术报告，报告题目为"碳纳米管电子器件和集成电路：现状与挑战"。报告会由张珽研究员主持，副所长（主持工作）、党委副书记王强斌和副所长李清文及所内相关领域师生参加了此次学术交流活动。 

　　半导体碳纳米管具有优异的电学特性，是构建亚10纳米以下场效应晶体管的理想沟道材料。张志勇教授经过十多年的前期研究，发展了一整套碳纳米管CMOS器件的无掺杂制备技术，在此基础上探索了其发展潜力。报告中，张志勇教授总结了碳基电子器件和集成电路的发展现状，评估其优势和潜力，探索碳基电子器件在逻辑电路、模拟电路、传感器和其他特种器件和电路方面的应用价值。由于碳基集成电路的工程化发展受制于若干关键技术环节，张志勇教授重点揭示了碳基技术在晶圆级碳纳米管阵列的制备、碳基MOS器件界面态、尺寸微缩、可靠性和稳定性等方面面临的重要技术挑战。 

　　报告结束后，在座师生纷纷踊跃提问，就自己感兴趣的问题与张志勇教授做了深入的交流与探讨，张教授结合自己的研究经验对提问一一进行了解答。整个讲座过程学术氛围浓郁，在场师生受益匪浅。报告会后张志勇教授参观了纳米真空互联实验站，进一步了解平台实验条件及主要研究方向。此次来访为促成双方后续合作奠定了基础。 

　　报告人简介： 

　　张志勇，博士，北京大学教授，博士生导师。纳米器件物理与化学教育部重点实验室主任，碳基纳米电子学研究中副主任。主要从事碳基纳米电子学方面的研究，探索基于碳纳米管的MOS集成电路、传感器和其他新型信息器件技术，并推进碳基信息器件技术的实用化发展。发表SCI论文180余篇，SCI他引9000余次，H因子50。部分工作获得中国高校十大科技进展、国家自然科学二等奖、中国科学十大进展。曾入选国家基金委优秀青年科学基金等，获得中国青年科技奖、茅以升北京青年科技奖。 

        报告会现场

        参观纳米真空互联实验站