4月18日，应器件部刘建平研究员邀请，波兰科学院高压物理研究所Mike Leszczynski、Ewa Grzanka和Robert Czernecki三位GaN器件领域的知名教授赴苏州纳米所开展学术交流。 

　　三位教授分别作了题为“Present and future nitride semiconductor technology in Poland”“Visualization of the Indium concentration fluctuations in InGaN/GaN quantum wells grown on sapphire template and on GaN bulk substrate and their relationship with QWs decomposition”和“UVA laser with thick single AlInGaN quantum well”的报告，报告会主持人为刘建平研究员。 

　　波兰科学院高压物理研究所GaN基材料与器件研究团队多年来深耕GaN领域，研究领域包括了GaN同质衬底及GaN器件的设计与制备。据Mike Leszczynski 教授介绍，目前团队成员包括约100名科研人员和工程师，并依托波兰科学院高能物理研究所建立了GaN单晶衬底和GaN蓝光激光器的生产公司。苏州纳米所器件部GaN基激光器课题组与波兰科学院高压物理研究所、厦门大学共同承担了科技部重点研发计划——政府间国际创新合作重点专项，研究缺陷对GaN器件性能的影响。此次学术交流活动，是项目完成验收之际波兰高压物理研究所的再次访问交流。 

　　三位教授全面介绍了波兰高能物理研究所在GaN衬底制造及GaN器件领域的研究进展与发展前景，由浅入深、由点及面地展示了团队的最新研究进展，并在报告中表示非常看好GaN产业在中国的未来。最后，三位教授在InGaN量子阱空位缺陷、GaN紫外激光器的p型掺杂等方面与现场师生进行了深入探讨。 

　　         刘建平研究员主持报告并与Mike Leszczynski教授探讨激光3D显示技术

　　         Ewa Grzanka教授讲解InGaN量子阱的热分解

　        Robert Czernecki教授讲解GaN紫外激光器的研究工作