7月12日下午，应创新实验室（i-Lab）邀请，中国科学技术大学蒋建华教授、中国科学院物理研究所黄鑫副研究员来苏州纳米所进行学术交流，并作学术报告，报告会由创新实验室张凯研究员主持，众多师生现场参与并积极交流讨论。

蒋建华教授以“Unveiling topological phenomena at defects”为题作了精彩的学术报告，他聚焦于室温光子和声子系统的新颖拓扑物态研究，特别是在“拓扑体-缺陷对应关系”、高阶拓扑态、非阿贝尔拓扑态等方面做了一系列开拓性的工作。在本次报告中，蒋教授将系统的边界拓扑现象扩展到了缺陷拓扑现象。他从拓扑材料的特性出发，介绍了拓扑物理学中的位错、贝利相、边界态、分数电荷等基本拓扑概念，接着通过两个例子详细介绍了拓扑体—缺陷对应关系，表明缺陷具有丰富的结构，可以引发前所未有的独特拓扑现象。

黄鑫副研究员作了题为“二维材料异质结能带调控与光电器件研究”的学术报告。他主要从事新一代半导体材料光电器件研究，特别聚焦于第三代半导体与新型二维半导体的电荷、能谷和自旋等自由度特性，开发这些自由度在新型信息器件中的应用。在本次报告中，他从后摩尔时代集成电路的发展以及光电集成技术发展历程引入，首先详细介绍了压电极化能带工程对于III-V氮化物能带结构及光电器件的调制特性，随后介绍了超表面集成多维度二维光电探测与神经形态器件的研究以及光电忆阻器实现光感存算一体架构的视觉感知研究。

蒋建华教授和黄鑫副研究员的报告通过将严密的理论、仿真结果验证和丰富而新奇的实现现象相结合，分别展示了拓扑物态和低维材料的丰富物性，给在场师生带来了一场精彩的学术盛宴。报告结束后，在场师生积极提问，就实验细节和潜在应用与两位老师进行了深入的探讨。

蒋建华教授作报告

黄鑫副研究员作报告