阿卜杜拉国王科技大学李晓航教授来所交流
7月19日上午，半导体显示材料与芯片重点实验室邀请到阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的李晓航教授作为主讲嘉宾举办了一场关于宽禁带化合物半导体的学术报告。报告会由孙钱研究员主持，为与会者带来了题为“Wide Bandgap Compound Semiconductors for Future of Moore's Law”（宽禁带化合物半导体与摩尔定律的未来）的精彩报告。
报告中，李晓航教授详细阐述了包括AlN、GaN、Ga2O3、In2O3在内的宽禁带化合物半导体的最新进展。这些材料因其独特的性能，如高击穿电场、高电子迁移率和高热导率，在电力电子、射频应用、深紫外可见光等领域展现出巨大潜力，为摩尔定律的持续发展提供了新视角。
李晓航教授分享了其团队在宽禁带化合物半导体材料、器件和集成电路研究领域的最新成果。这些研究不仅推动了“More Moore”（更多摩尔）、“More than Moore”（超越摩尔）和“Beyond Moore”（后摩尔时代）的应用，更为它们的深入探索奠定了坚实基础。通过持续优化材料制备工艺、创新器件设计和集成技术，李晓航教授的团队在制备高性能宽禁带半导体器件等方面取得了显著进展。
整个报告过程中，李晓航教授的讲解深入浅出，使得在场的研究人员和学生都能够充分理解这一前沿领域的发展现状和未来趋势。报告结束后，现场听众积极参与提问，就材料制备、器件设计和潜在应用等方面与李晓航教授展开深入的交流与探讨。
报告会现场
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