12月26日，应半导体显示材料与芯片重点实验室邀请，香港科技大学陈敬教授来所开展学术交流，并作题为“多维氮化镓功率集成”的前沿学术报告。报告会由孙钱研究员主持，吸引了所内众多师生积极参与。

氮化镓（GaN）凭借其宽禁带特性与多样化异质结结构，已在电力电子和射频领域展现出巨大潜力。报告会上，陈敬教授指出，凭借高临界电场、强极化效应等优异材料特性，结合低成本、可扩展的硅衬底及与硅工艺兼容的制造技术，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术为功率集成开辟了广阔空间，有望成为推动数据中心、电动汽车、可再生能源及智能电网等关键应用发展的核心驱动力。

报告中，陈敬教授系统介绍了多维GaN功率集成的最新进展。他探讨了平面GaN功率器件的沟道优化设计，三维空间拓展，包括如何有效抑制GaN-on-Si平台中的背栅效应与串扰问题。此外，陈敬教授着重分析了GaN与碳化硅（SiC）的异质集成路径，指出二者在材料特性上具有互补优势，通过异质集成可进一步提升器件性能与可靠性，实现“强强联合”。

整 场报告内容丰富、前瞻性强，陈敬教授以深厚的学术积淀与清晰的逻辑脉络，揭示了宽禁带半导体功率集成技术的应用前景与发展趋势。并围绕异质集成工艺、器件可靠性及产业化路径等问题与在场师生展开了热烈而深入的交流讨论。

报告会现场