| 姓 名： | 陆义 |
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| 职 称： | 项目研究员 |
| 学 历： | 博士研究生 |
| 电 话： | 0512-62872758 |
| 通讯地址： | 苏州工业园区若水路398号 |
| 电子邮件： | ylu2026@sinano.ac.cn |
简历：
项目研究员。2016年获太原理工大学学士学位，推免至中国科学院半导体研究所；2019年获中国科学院半导体研究所硕士学位；2023年于沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）获博士学位。2023—2025年在美国威斯康星大学麦迪逊分校从事博士后研究。2026年全职加入中国科学院苏州纳米所半导体显示材料与芯片重点实验室。入选中国科学院“率先行动”引才计划。
长期从事宽禁带半导体材料与器件研究，迄今在国际学术期刊发表论文约60篇，其中以第一/共同第一作者在 Advanced Materials、IEEE Electron Device Letters、Materials Today Physics、ACS Applied Materials & Interfaces 等期刊发表论文15篇，H指数19；在国际/国内重要学术会议作报告20余次。
现为半导体显示材料与芯片重点实验室科研骨干（实验室主任孙钱研究员，国家杰青、国家技术发明奖一等奖获得者）。聚焦III族氮化物发光二极管与激光器等典型器件，以半导体异质材料集成技术为基础，致力于开展高性能氮化物光电器件研究，并探索其在新型显示领域的前沿应用。
研究领域：
1. 宽禁带半导体异质材料集成与器件应用
2. 高效氮化物微纳光电器件
3. 新型集成显示器件与芯片
社会任职：
获奖及荣誉：
代表论著：
承担科研项目情况：
