氮化镓（GaN）晶片作为第三代半导体产业发展的关键材料，是新型照明光源、激光光源、全彩色光源、高温高频高功率微波器件等第三代半导体产业的核心。我国氮化镓（GaN）晶片及器件的关键技术远落后于发达国家，高端应用产品完全依赖进口，而国外对我国进行技术封锁。
       
        苏州纳维科技有限公司以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，以徐科博士为核心，组建创新创业团队，先期由纳米所投资成立，联合创业投资公司共同投资，专业从事GaN晶片及其相关器件、设备的研发和产业化。 公司注重技术创新、追求技术领先，掌握多项核心技术，通过自主设计多片生产型HVPE设备，引入原位应力监控技术，突破晶片产业化的技术瓶颈，生长工艺方面，利用应力调控技术，攻克氮化镓（GaN）晶片的弯曲和开裂等关键难题，使产品达到实用化水平。
        本项将开发具有自主知识产权的氮化镓（GaN）晶片，打破发达国家的技术垄断，提高我国半导体照明、全色显示、高功率微波器件等领域的整体研制水平，实现产业的跨越式发展，在氮化物的各个应用领域迎头赶上国际前沿水平，占领产业发展制高点。
       
        目前纳维已经研制成功20-100um厚膜GaN衬底晶片，申请相关发明专利6项。该项目得到了江苏省、苏州市和苏州工业园区各级政府的大力支持，2007年，公司承担了江苏省重大科技成果转化专项资金。此外总经理徐科博士先后获得“苏州工业园区科技领军人才”及“2008年姑苏创新创业领军人才” 称号及相应的创业资助奖励。