制造一个传统的CMOS（互补金属氧化物半导体）半加器，至少需要20个场效应晶体管；而单电子半加器采用了新的单电子晶体管结构，内含两个对称的侧栅极，因此科学家仅用3个单电子晶体管和2个场效应晶体管就制造出了一个半加器。另外，CMOS半加器采用的是二进制模式，也就是基于0和1运行；而单电子半加器为多值和灵活模式，能有效提升集成的密度。但这种半加器需在制造中令3个单电子晶体管在库伦振荡中处于同一相位，这就需要十分复杂的纳米制造过程给予支持，因此单电子半加器此前的制造一直停滞不前。此外，科研人员还证明了只要简单地改变单电子晶体管的控制栅，就能将半加器模式转换成减法运算模式。在减法模式中，加法及进位功能将变成不同的借用功能。

虽然目前这一技术仍需在10K（零下263.15摄氏度）的低温情况下运行，但科研人员对未来依旧充满信心，他们目前已成功制成了室温下可运行的硅单电子晶体管复合开关。而以这些晶体管作为基础元件，将为实现室温下可运行的单电子多值半加器带来新的希望。