改良后的存储设备制造工艺大大简化。其存储分子由印度研究人员开发，用的是“石墨烯片”，即一层平面碳分子层附着锌原子构成，互相之间天然具有整齐排列在一起的性质。该设备只有一个铁磁电极，相当于半个“三明治”，通过沉积法就能形成非常薄且排列整齐的原子层。

电极设备由麻省理工大学雅格戴斯·穆德拉小组开发。最初，他们是在铁磁电极上沉积了一层薄膜材料，然后在上面再加一层铁磁电极，做成磁性存储器的标准结构。按照设想，通过相对改变电极的磁性方向，会使设备的导电性产生跳变，而这两种导电状态就分别代表了二进制中的0和1。但令人吃惊的是，他们检测到导电性发生了两个跳变而不是一个，这表明两个电极各自独立改变了设备的导电性。他们又用一个铁磁电极和一个普通金属电极进行了实验，普通金属电极只是为了读取通过分子的电流，结果发现导电性跳变依然存在。

为此他们改变了设计。制造一个存储单元时，其底层电极用沉积法，形成几乎完美的一层，然后铺上存储分子，顶层电极设计成一个微小针尖，就像原子力显微镜尖端的探针那样，在存储分子上占不到1纳米。穆德拉解释说，如果上面再沉积一层铁磁电极，电极分子就倾向于和存储分子混合，会削弱其性能。而且为防止存储单元之间靠得太近而彼此影响，他们用堆叠式存储克服了压缩密度的限制。

“在近室温下表现出导电性的转变，这一效果来自分子与磁性表面之间的强相互作用，能让分子有磁性并保持稳定。”穆德拉的博士生、麻省理工大学材料科学与工程系的卡西克·拉曼说。

目前，他们造出的实验性存储设备导电性虽然只改变了20%，还不足以用作商业设备，但穆德拉表示，这还只是概念性论证。他们提出的理论解释了人们未曾预料的单电极转换现象，经过进一步研究有望设计出新的有机分子，使导电性变化率更高。